[14a-PA2-1~18] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[14a-PA2-16] シリコン基板上に成長したGaAsナノワイヤの光アノード応用

〇大野 智樹¹、行宗 詳規¹、藤原 亮¹、石川 史太郎¹、Wang Yongjie²、Mi Zetian² (1.愛媛大工、2.ミシガン大工)

キーワード：半導体ナノワイヤ

太陽光から燃料を得るための光電気化学は、将来の持続可能なエネルギー社会実現のための技術として期待されている。効率的な光陽極と光電陰極の追求は、その実現に不可欠である。III-V半導体ナノワイヤは、物質中でも高い電子移動度と、光電変換効率を有し、この光電気化学用途に期待される。太陽光に対する優れた光キャリア応答が期待される1.4eVのバンドギャップを持つGaAs ナノワイヤのフォトアノード応用を試みた結果について報告する。