[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長と新しい試み

〇今西 正幸¹、村上 航介¹、奥村 加奈子¹、中村 幸介¹、垣之内 啓介¹、北村 智子¹、吉村 政志^1,2、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：Naフラックス法、GaN、バルク

我々は液相成長法であるNaフラックス法を用い、低転位かつ大口径GaN結晶の作製に取り組んできた。近年開発したポイントシード法とFFC法を組み合わせた新手法では、3インチ口径かつ透明性の高い結晶を得ることに成功した。今回はこの新規ポイントシード技術を用いたGaN結晶の更なる大口径化に加え、インクルージョンの低減など最近取り組んでいるトピックについて報告する。