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△ [14p-A302-12] 酸化物ガス添加によるOVPE-GaN結晶成長における多結晶生成抑制
キーワード:OVPE、窒化ガリウム、結晶成長
Ga源としてGa2Oガスを用いるOVPE法では、固体の副生成物が生成しないため、原理的に長時間の成長が期待できる。しかし現状では、100µm/h以上の高速成長条件では基板上多結晶が厚膜化を阻害するという問題がある。そこで本研究では、多結晶の原因としてGaNの分解により生じるGa dropletに着眼し、キャリアガスに酸化物ガスを添加することによってGa droplet由来の多結晶発生の抑制について試みた。