[14p-A302-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-A302-17] GaNの酸化膜形成2段階ウェットエッチング法における選択的陽極酸化を用いたエッチング深さ制御

〇(M2)清藤 泰旦¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大、2.東大生研)

キーワード：半導体、GaN、エッチング

GaNに対する低ダメージかつ制御性の高いエッチング方法としてウェットエッチングの適用を検討することは重要である。前回までに我々は，暗黒下でのGaNの陽極酸化と形成された酸化物の除去によるGaNの2段階ウェットエッチング法において，単純に通電量を少なくするだけでは出来ない浅いウェットエッチングを選択的陽極酸化により実現させた。今回はこの選択的陽極酸化の深さ制御を検討し，異なる深さのウェットエッチングに成功した。