[14p-A303-1~14] 【CS.4】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[14p-A303-9] プラズマ原子層堆積法で300 °C低温形成した強誘電体Hf_xZr_1−xO₂薄膜の疲労特性

〇女屋 崇^1,2,3,4、生田目 俊秀³、Jung Yongchan²、Heber Hernandez-Arriaga²、Mohan Jaidah²、Kim Harrison S.²、Khosravi Ava²、澤本 直美¹、長田 貴弘³、Wallace Robert M.²、Kim Jiyoung²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.テキサス大学ダラス校、3.物材機構、4.学振DC)

キーワード：強誘電体HfxZr1-xO2薄膜、プラズマ原子層堆積法、疲労特性

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)薄膜は、強誘電体メモリへ向けた候補材料として検討されているが、疲労による分極特性の劣化が問題とされている。前回の応物にて、プラズマ原子層堆積(PE-ALD)法によるHZO膜は、300 °Cの低温度熱処理後でも優れた強誘電性を示すことを報告した。本研究では、300 °Cの低温度プロセスで作製したPE-ALD HZO膜を用いて、分極反転回数が強誘電性及びリーク電流特性へ及ぼす影響を調べた。