[15a-A305-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[15a-A305-1] Si酸化膜中放出Siの理論検討

〇影島 博之¹、矢島 雄司¹、白石 賢二²、遠藤 哲郎³ (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大)

キーワード：シリコン酸化、第一原理計算

Siを熱酸化すると単にSiが酸素と反応してSiO₂が形成されるだけでなく、その際の大きな体積膨張によって誘起される圧縮応力を解放するためにSiがSi酸化膜中に放出される。我々はこの放出Siが酸化膜中では格子間SiOとなっていると考えてきた。今回、Siピラー酸化におけるSiミッシングの研究の過程で行ってきた第一原理分子動力学計算の結果を詳細に解析することで、この考え方を支持する材料を得たので報告する。