[15a-B508-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[15a-B508-5] III-V/Si直接接合構造を有するリッジ型レーザ特性のSi導波路幅依存性

〇菊地 健彦^1,2、藤原 直樹¹、平谷 拓生¹、新田 俊之¹、モータズ エイッサ²、王 雨寧²、槇原 豊²、西山 伸彦^2,3、八木 英樹¹ (1.住友電工伝送デバイス研、2.東工大工、3.東工大未来研)

キーワード：III-V/Siハイブリッド集積、直接接合、リッジ型レーザ

III-V/Siハイブリッド集積は小型・高速・低消費電力な次世代光集積回路実現に対し有望である。特に、III-V/Si直接接合構造を有するハイブリッドレーザでは、Si導波路とIII-V領域の両方の幅を設計パラメータとすることで、デバイス用途に応じた光のモード形状制御が可能である。我々はIII-V/Siリッジ型レーザを作製し、特性のSi導波路幅依存性からこれを実証したので報告する。