[15a-B508-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[15a-B508-6] Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の検討(IV)

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、鄭 錫煥¹、大繩 陽介^1,2、志村 大輔^1,2、川下 和樹³、片廻 陸³、小野 英輝^1,2、岡山 英彰^1,2、高橋 博之^1,2、八重樫 浩樹^1,2、石川 靖彦³、中村 隆宏¹ (1.PETRA、2.沖電気、3.豊橋技科大)

キーワード：電界吸収型変調器、ゲルマニウム、波長多重

Ge/Si電界吸収型変調器において，Ge層の結晶品質を解析すると共に，CバンドでのSi製波長フィルタと光結合した多波長動作と高温動作について検討した．