[15a-PB3-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-PB3-2] Si ナノウォールアレイ作製プロセス技術の開発

〇平井 政和¹、市川 幸美¹、小長井 誠¹ (1.東京都市大)

キーワード：シリコン、ナノウォールアレイ、異方性エッチング

太陽電池への応用を目的としたワイドバンドギャップSiを実現するため、量子サイズ効果を発現させるナノウォールアレイの開発を進めてきた。ナノインプリントを用いたマスクパターニングとKOHによるSi異方性エッチングと更なる薄化と幅の不均一性是正のためのエッチング方法、乾燥プロセス検討の結果を報告する。