[15p-B508-8~13] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

△ [15p-B508-13] 不揮発性MOS型光位相シフタに向けた強誘電性Hf_0.5Zr_0.5O₂を用いたウェハボンディングの検討

〇渡辺 耕坪¹、トープラサートポン カシディット²、関根 尚希²、高木 信一²、竹中 充² (1.東大工、2.東京大院工)

キーワード：強誘電体、光位相シフタ、ウェハボンディング

不揮発性光位相シフタの材料としてHf_0.5Zr_0.5O₂は有望である。しかしながら現在Hf_0.5Zr_0.5O₂の強誘電性を発現させる手法として広く用いられている金属のキャッピング下でのアニーリングは光位相シフタのプロセスとしては懸念がある。今回我々はAl₂O₃をキャッピングレイヤーとして採用しウェハボンディングを行うことで貼り合わせによる不揮発性メモリ機能を持ったMOS型光位相シフタが実現可能であることを実証した。