2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

[15p-D411-1~5] 15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2020年3月15日(日) 13:45 〜 15:00 D411 (11-411)

鳥越 和尚(SUMCO)

13:45 〜 14:00

[15p-D411-1] 高濃度リンドープCZ-Si結晶中のSiP析出物形成挙動

仙田 剛士1、成松 真吾1、安部 吉亮1、前田 進1、松村 尚1、石川 高志1、中村 浩三2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県立大学)

キーワード:半導体、シリコン、リン

極低抵抗率リン (P) ドープシリコン (Si) 結晶のSiP特性に対する結晶成長条件を、系統的に調査した。TEM観察の結果、SiPが1×1011 /cm3から1×1013 /cm3の密度で観察された。また、結晶成長時の冷却カーブから、その平均サイズは、冷却時の通過時間との相関が見られた。本SiPは、冷却過程において格子間Pが凝集することにより発生したと推定する。