13:00 〜 14:40 [22p-P01-12] 反応性プラズマプロセスを用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの低温形成(IV) 〇竹中 弘祐1、林 祐仁1、小松 響1、都甲 将1、内田 儀一郎2、江部 明憲3、節原 裕一1 (1.阪大接合研、2.名城大理工、3.イー・エム・ディー)