14:00 〜 14:15 [12p-N305-3] 高濃度GeドープGaN基板によるp-n接合ダイオードの低オン抵抗化Ⅱ~ 順方向電流アノード電極径依存の低減 ~ 〇太田 博1、浅井 直美1、望月 和浩1、堀切 文正2、成田 好伸2、三島 友義1 (1.法政大学、2.サイオクス)