11:00 〜 12:40 [23a-P10-13] ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2 層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 〇戸田 圭太郎1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)