16:00 〜 16:15 [10p-S202-11] 紫外線照射による4H-SiC エピ層内積層欠陥の拡張開始点 〇松下 洋介1、高野 和美1、五十嵐 靖行1、佐々木 宗生2、山田 雄也2 (1.株式会社アイテス、2.滋賀県工業技術総合センター)