11:00 〜 12:40 [23a-P10-7] サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション 〇武山 昭憲1、牧野 高紘1、大島 武1、黒木 伸一郎2、田中 保宣3 (1.量研、2.広島大ナノデバイス、3.産総研)