[23a-P10-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[23a-P10-7] サブバンドギャップ光を用いたガンマ線照射4H-SiC JFETのキャラクタリゼーション

〇武山 昭憲¹、牧野 高紘¹、大島 武¹、黒木 伸一郎²、田中 保宣³ (1.量研、2.広島大ナノデバイス、3.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、放射線、電界効果トランジスタ