[10a-N104-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[10a-N104-3] n型結晶Si太陽電池モジュールのNa起因の電圧誘起劣化への事前逆バイアス印加の影響

〇(M2)武 徳欽¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

キーワード：電圧誘起劣化、結晶系太陽電池

本研究では，n型結晶Si太陽電池モジュールのNa起因の電圧誘起劣化への事前逆バイアス印加の影響を調査した．5 min，5 h，10 hの+1000 Vの逆バイアスをセルに印加した後，逆バイアス印加無しの対照試料とともに，カバーガラス表面に設置したAl板を基準として，セルに−1000 Vを印加し，PID試験を行う．長時間の事前逆バイアス印加でカバーガラスや封止材中のNaがセル表面から遠ざけられ，Naがセル内に侵入するの時間が延長すると考えられる．