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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[10a-S302-1~11] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

2021年9月10日(金) 09:00 〜 12:00 S302 (口頭)

田辺賢士(豊田工大)、関口康爾(横浜国大)

11:00 〜 11:15

[10a-S302-8] 非磁性金属層が静磁表面スピン波の緩和長に与える影響

〇(M1)薗畠和真¹、笠原健司¹、眞砂卓史¹ (1.福岡大理)

キーワード：静磁表面波、非磁性金属層、緩和長