[10p-N104-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [10p-N104-8] a-Si:H層のPECVD成膜による結晶シリコンへのダメージの評価

〇小島 遥希¹、西原 達平¹、後藤 和泰²、宇佐美 徳隆²、原 知彦³、大下 祥雄³、小椋 厚志^1,4 (1.明治大学、2.名古屋大学、3.豊田工業大学、4.明大再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：シリコンヘテロ接合太陽電池、プラズマ励起化学気相成長法(PECVD)

HIT太陽電池ではc-Siのパッシベーション層としてa-Si:H(i)、キャリア選択層としてa-Si:H(n,p)を用いることで、高効率な太陽電池を実現している。本研究ではa-Si:H成膜プロセスであるPECVDによって誘起されるc-Siへのダメージの評価を行った。ステップエッチングとライフタイム測定を繰り返すことでライフタイムの深さ分布を取得し、c-Si表面約2.60 nmのダメージ層を確認した。また断面TEM像よりc-Si表面に約2.60 nmのダメージ層とa-Si:H/c-Si界面のラフネスが確認された。