[10p-N203-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[10p-N203-4] 3次元積層型CIS向け多元素分子イオン注入エピウェーハの特性（I）
CH₂P注入エピウェーハの注入レンジにおける水素脱離挙動の理論解析

〇奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：水素、シリコンウェーハ

我々はCMOSイメージセンサの高性能化のために、炭化水素分子イオンに燐を追加した多元素分子イオン注入技術の開発をおこなってきた。燐を追加した多元素分子イオン注入領域は炭化水素分子イオンと異なり、二つの水素のピークが観察されることを明らかとした。水素の拡散挙動の解析は多元素分子イオン注入ウェーハの特性の理解に重要である。そのため、燐を追加した多元素分子イオン注入領域における従来報告がない水素の捕獲・拡散挙動に関して、評価、解析をおこなったので報告する。