[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-11] HF溶液中でのエッチング時の基板電荷量変化測定によるSiO₂膜中電荷分布評価

〇緒方 将志¹、宍倉 孝¹、蓮沼 隆¹ (1.筑波大)

キーワード：絶縁膜、膜中電荷、絶縁破壊

Si-MOSFETのゲート酸化膜であるSiO₂膜中に存在する電荷は、ゲート電極や酸化膜-半導体界面に逆符号の電荷を誘起し、閾値電圧を変動させる。また、その変動幅は膜中電荷の位置にも依存するため、膜中の電荷分布を定量的に評価することは、半導体デバイスの劣化現象の解明に一躍を担うと考えられる。そこで我々はSiO₂膜のエッチング中に変化する基板電荷量をモニターすることにより電荷分布を導出する手法を考案した。