[11a-S301-1~7] 未来デバイス製造のためのアトミックレイヤープロセス；表面反応ダイナミクスの理解と制御

[11a-S301-2] ALD/ALEプロセスの選択制の制御と応用

〇霜垣 幸浩¹ (1.東大工)

キーワード：原子層成長プロセス、原子層エッチングプロセス、表面反応機構

ALD（Atomic Layer Deposition）およびALE（Atomic Layer Etching）では，下地材料によって製膜やエッチングが進行したりしにくい場合があり，選択的な製膜・エッチングが可能な場合がある。本講演では，このような選択性発現の基本的なメカニズムとその制御方法などを主に薄膜形成の立場から論じ，これらの選択的な手法の応用について議論したい。