[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11p-N305-5] 第一原理計算によるSiC/SiO₂ステップ界面の電子状態解析

〇(M1)横田 知真¹、植本 光治¹、小野 倫也¹ (1.神戸大工)

キーワード：第一原理計算、SiC、ステップ界面

SiC MOS界面には多数の欠陥が存在し、界面の電子移動度はバルク中の移動度に比べて著しく低い。4H-SiC(0001)/SiO₂界面は原子レベルで平坦でなく、表面原子構造はSiC基板作製プロセスに起因するステップを持つ。第一原理計算を用いたSiC/SiO₂ステップ界面の電子状態解析により、界面のhサイトとkサイトのスタッキングによるエネルギー差はわずかであるが、界面の伝導帯端電子状態はスタッキングによって大きく異なることが明らかになった。