[11p-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[11p-N305-8] 耐放射線CMOSイメージセンサに向けたSOI-Si/4H-SiCハイブリッド画素素子の出力特性

〇目黒 達也¹、堤 将之¹、武山 昭憲²、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

キーワード：SiC、イメージセンサ、基板接合

原子力発電所の廃炉作業ロボットは、放射線に対して強い耐性が求められる。投入されるロボットは、そのイメージセンサにより稼動時間が制限される。本研究では，従来のイメージセンサの画素が備えるSi-MOSFETを、SiC-MOSFETに置き換えることにより、高い放射線耐性を目指したハイブリッド型画素デバイスの作製と、その特性評価について報告する。