[12a-N104-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[12a-N104-9] 光熱偏向分光法による熱処理セレン薄膜の評価

〇後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：カルコゲナイド半導体、光熱偏向分光法、欠陥準位

優れた光電的性質を持つアモルファスセレン(Se)は、その特徴を生かした応用分野である高感度撮像管やX線画像センサーに利用されている。どちらも高電界現象を利用しており、バンドギャップ中の欠陥準位が重要な役割を果たしている。これまでに行われた実験と理論的な考察から欠陥準位の詳細が明らかになりつつあるものの、より簡単に欠陥準位情報が得られる手法が求められている。高感度化した光熱偏向分光法(PDS)はSe薄膜の微量な欠陥準位を評価するのに適している。本研究では、結晶化温度の熱処理がサブギャップ光吸収に与える影響を調べ、Se薄膜の欠陥準位について議論する。