[12a-N205-1~12] 12.4 有機EL・トランジスタ

[12a-N205-5] 高急峻スイッチング有機薄膜トランジスタにおける半導体層構造の効果

〇(M1)村田 啓人¹、北原 暁¹、井上 悟¹、松岡 悟志¹、荒井 俊人¹、長谷川 達生¹ (1.東大院工)

キーワード：有機半導体、KFM

有機薄膜トランジスタ(OTFT)の開発において集積化にはボトムコンタクト(BC)型構造が有利であるが、電極半導体界面の半導体秩序構造に由来するデバイス特性悪化が喫緊の課題である。我々はこれまでに単結晶有機半導体をトラップレスな高撥液絶縁膜上へ製膜する手法を開発し、スイッチングの高急峻生と高移動度を両立するBC型OTFTの作製に成功した。この手法のもとで半導体層構造を精密に制御して素子作製を行ったところデバイス特性に顕著な変化が見られた。さらにKFM測定により電極半導体界面近傍の電位降下が大きく影響していることがわかった。講演ではこれら層数・材料といった半導体層構造とTFT特性との相関を、KFMの結果をもとに議論する。