10:00 〜 10:15 [12a-N205-5] 高急峻スイッチング有機薄膜トランジスタにおける半導体層構造の効果 〇(M1)村田 啓人1、北原 暁1、井上 悟1、松岡 悟志1、荒井 俊人1、長谷川 達生1 (1.東大院工)