[12a-N304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[12a-N304-9] ALD堆積法によるHfO₂/PVD-WS₂膜界面における化学組成変化

〇山崎 知夢¹、小野 凌¹、今井 慎也¹、濱田 拓也¹、濱田 昌也¹、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：原子層堆積、遷移金属ダイカルコゲナイド、スパッタリング法

二次元半導体の一種であるWS₂膜は原子レベルの膜厚ながらも、高移動度と優れた界面特性を持つことからナノシートトランジスタのチャネルへの応用が期待されている。WS₂膜を用いた高性能なトランジスタを実現するためには半導体-絶縁体界面特性を明らかにすることが重要であるが、その研究はまだ途上である。今回はスパッタリング法により成膜したWS₂膜の化学組成をXPSによって検証し、HfO₂膜堆積前後の変化を比較したので報告する。