[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12a-N305-2] KrFレーザードーピングによる SiC 極表面変化
―レーザードーピングメカニズムの研究（その２）―

〇妹川 要¹、納富 良一¹、宇佐見 康継¹ (1.ギガフォトン（株）)

キーワード：レーザードーピング、炭化珪素、表面状態変化

SiCパワーデバイスの製造プロセスにおいて、結晶性回復や活性化のため高温処理が必要とされる課題がある。我々はレーザドーピングがその解決手段の一つとなると考えており、SiN薄膜を堆積したSiC基板にKrFエキシマレーザーを照射することで室温で窒素注入する手法を提案してきた。今回、表面および基板内部の結晶構造変化について断面TEM評価を実施したので考察を交えて報告する。