[12a-N305-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [12a-N305-6] 金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減

〇土井 拓馬^1,2、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、清水 三聡²、中塚 理^1,3 (1.名大院工、2.産総研・名大GaN-OIL、3.名大未来研)

キーワード：4H-SiC、ショットキー、コンタクト