[12a-N406-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[12a-N406-5] Time-resolved emission properties of InAs quantum dots with different growth rates of GaAs cap layer

〇Sohsuke Izumi¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:semiconductor quantum dot, time-resolved photoluminescence, carrier dynamics

半導体量子ドット(QD)は、三次元方向の強い量子閉じ込め効果によりスピン光デバイスの活性層への応用が期待されている。本研究では、QDを埋め込むキャップ層の成長速度を変えたInAs QD単層試料を作製し、時間分解フォトルミネッセンス測定によりキャリアダイナミクスを評価するとともに、走査型透過電子顕微鏡測定によりQDのサイズ分布と組成を調べた。