2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年9月12日(日) 13:00 〜 18:30 N101 (口頭)

小島 一信(東北大)、新田 州吾(名大)、久志本 真希(名大)

18:00 〜 18:15

[12p-N101-19] UV-B LDのEBLおよびAl組成傾斜AlGaNクラッド層におけるMgドーピングの影響

〇(M2)山田 和輝1、大森 智也1、下川 萌葉1、薮谷 歩武1、長谷川 亮太1、岩山 章2,1、三宅 秀人2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・地域イノベ)

キーワード:半導体、UV-B、AlGaN