[12p-N101-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [12p-N101-6] 230 nm遠紫外第二高調波発生に向けた横型擬似位相整合2層極性反転AlN導波路の作製

〇(M2)梅田 颯志¹、本田 啓人¹、南部 誠明¹、市川 修平^1,2、藤原 康文¹、正直 花奈子^1,3、三宅 秀人^3,4、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.三重大院工、4.三重大院地域イノベ)

キーワード：AlN、遠紫外、第二高調波発生

新型コロナウィルス（COVID-19）の流行に伴い、深紫外光を用いたウイルス不活性化・殺菌に注目が集まっている。中でも波長230 nm近傍の遠紫外光は皮膚最表面の角質層で吸収されるため人体に無害である。対してAlNは波長210 nmまで透明で高い光学非線形性を有することから、我々はAlN 2層極性反転積層構造を用いた230 nm帯第二高調波発生（SHG）デバイスの設計を行った。本発表ではスパッタアニール法により成膜した2層極性反転AlN薄膜を用いた波長230 nm深紫外光発生横型QPM SHGデバイスの作製プロセスについて報告する。