[12p-N104-1~7] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[12p-N104-1] ナノ構造を有する相変化素子の低動作電流化のための有限要素法解析

〇(M1C)白川 遼馬¹、尹 友¹ (1.群馬大学)

キーワード：相変化メモリ、ナノ構造、有限要素法

IoTやAIの発展に伴いReRAMやPCMなどの不揮発性メモリが注目されている。特に、アモルファス相と結晶相間の転移を利用したPCMは高速、大容量、優れた耐久性等の特性を有する。しかし、PCMの大量生産や人の脳を模したコンピュータへ応用するため動作電流を減らす必要がある。本研究ではナノ構造を有するPCMを提案し、FEMにて解析し、動作電流を削減するため電極と相変化層との接触位置の依存性を解明した。