[12p-N301-1~15] 6.1 強誘電体薄膜

△ [12p-N301-12] ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜成長

〇島添 和樹¹、藤原 悠希¹、新田 悠汰¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹、野田 実¹ (1.京都工繊大)

キーワード：酸化ハフニウム、ミストCVD法、強誘電体

非鉛系で強誘電性を示す蛍石構造強誘電体材料として、酸化ハフニウム(HfO₂)が近年注目されている。強誘電体特性は準安定相であるorthorhombic相に起因するものであり、orthorhombic相を安定化させるために様々な検討が行われている。その中でも本研究ではZrを混晶化したHf_xZr_1-xO₂薄膜のエピタキシャル成長によるorthorhombic相の安定化に着目した。本研究は下地兼電極層として、rh-ITOエピタキシャル薄膜を利用し、その上へのHf_xZr_1-xO₂薄膜の成長に成功した。発表では、結晶成長に関するより詳細な調査や電気的特性の結果について発表する予定である。