[13a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-N101-1] 透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO₄基板上RF-MBE成長GaNの極微構造評価

〇和田 邑一¹、黒田 悠弥¹、栢本 聖也¹、後藤 直樹¹、藤井 高志^1,2、毛利 真一郎¹、白石 裕児²、福田 承生²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.（株）福田結晶研)

キーワード：ScAlMgO4、透過電子顕微鏡、窒化ガリウム

ScAlMgO₄（SAM）はGaNとミスマッチ1.8%で熱膨張係数差も小さく、さらに無転位SAM結晶が得られていることから、窒化物半導体成長用基板として期待される。我々のグループでは、高真空下で低温成長が可能なRF-MBE法を用いて、SAM基板上にGaNおよびInGaNを直接成長させる試みを行っている。本講演では、透過電子顕微鏡を用いて、SAM基板上に直接成長したGaNを断面TEM観察した結果について報告する。