[13a-N101-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-N101-6] InN/GaNヘテロ構造における電子移動度の改善

〇伊藤 大貴¹、北村 淳一郎¹、塚本 健太¹、村雲 秋斗¹、佐々木 大航¹、土井 亮太¹、永露 大希¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：InN/GaNヘテロ構造、RF-MBE