[13a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13a-N101-7] InGaN on a quartz glass substrate grown by RF-MBE

〇(M1)Junichiro Kitamura¹, Kenta Tsukamoto¹, Shuto Murakumo¹, Taiki Ito¹, Shota Matsuo¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:Nitride semiconductor

InGaNには、In組成を変化させることでバンドギャップエネルギーを広い範囲で制御できるという特長がある。そのため、高効率の太陽電池やLDなどへの応用が期待されている。しかしながら、格子整合する基板がないという課題があるので、基板の選択が重要となる。従来の研究では、サファイア及びZnOなどの単結晶基板やInN、GaNテンプレートが用いられている。本研究では、InGaNの応用範囲を広げることを目的として、安価で透明性と耐熱性に優れている石英ガラス基板上にInGaNを成長した。