[13a-N101-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13a-N101-8] Two-step growth of InN on a quartz glass substrate using high-temperature InGaN buffer layer by RF-MBE

〇Kenta Tsukamoto¹, Junichiro Kitamura¹, Shuto Murakumo¹, Taiki Ito¹, Masataka Toki¹, Shota Matsuo¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:nitride semiconductor

InNは電気的特性や光学的特性に優れている一方で、高品質な結晶を成長することが難しい半導体材料である。本研究室では、高温InNバッファー層を用いて、石英ガラス基板上にInNを二段階成長することにより、InNのc軸配向性およびXRDによるωスキャンの半値幅の改善に成功した。本研究では、新たに高温InGaNバッファー層を導入した二段階成長によって、石英ガラス基板上に成長したInNの電気的特性と表面平坦性の改善を試みた。