[13p-N101-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-N101-6] ScAlMgO₄基板上Ga_0.83In_0.17Nの結晶成長と評価

〇高橋 遼¹、韓 東杓¹、藤木 領人¹、寳藏 圭祐¹、平松 稜也¹、澤井 奏人¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、松倉 誠²、小島 孝広² (1.名城大、2.株式会社オキサイド)

キーワード：ScAlMgO4基板、GaInN