[13p-N403-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [13p-N403-1] 熱酸化およびスパッタ製膜SiO₂上に形成したFeナノドットアレイの単電子特性

〇天野 郁馬¹、瘧師 貴幸¹、谷澤 涼太¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：単電子デバイス、ナノドット

マルチドット単電子デバイスは、低消費電力・高機能性が可能な集積デバイスとして期待されている。しかしながら、動作温度の向上には、ドットサイズやドット密度のより自由な制御が不可欠となる。本研究では、ナノドットアレイの下地層が異なるデバイスを作製し、電気特性の評価を行なった。その結果、従来のものに比べ、より高密度でサイズの小さなドットを持つデバイスの作製に成功し、高温動作に繋がる重要な知見を得た。