2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-S203-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月13日(月) 13:00 〜 17:00 S203 (口頭)

藤田 貴啓(東大)、相馬 拓人(東工大)

14:30 〜 14:45

[13p-S203-7] ペロブスカイト型V酸化物の電子状態におけるエピタキシャル歪みの効果:フェルミ液体論とバンド計算による解析

相馬 拓人1、岡部 宏和1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

キーワード:SrVO3、エピタキシャル成長、第一原理計算

3d1電子系AVO3A = Sr, Ca)は強相関金属として知られ,フィリングやバンド幅の制御によってモット絶縁体に転移する.強相関電子系の典型の一つとして,古くからフェルミ液体論に基づく電子状態の評価・解析が行われてきた.しかしながら,Aカチオンが電子相関に及ぼす効果については評価法によって大きく異なり,その解釈については未だ議論が続いている.一方で,エピタキシャル歪みを用いるとAサイト組成を保ったままでも電子相関に影響を与えることができる.本研究では,種々の基板上に作製し異なる歪みを与えたSrVO3とCaVO3薄膜を用いて,フェルミ液体論と第一原理バンド計算に基づく解析結果から各々の電子状態を比較した.