[21p-P01-1~31] 2 放射線(ポスター)

[21p-P01-27] レーザードーピング法により作製されたCdTe pnダイオードに対するアニール効果の検討

〇大野 周¹、西澤 潤一²、中川 央也²、都木 克之²、田端 健人²、伊藤 哲²、青木 徹^1,2 (1.静岡大院情、2.静岡大電子研)

キーワード：CdTe、アニール、半導体検出器

CdTeは150℃以上の加熱処理によって特性が劣化することが知られており，不活性なドーパントの活性化を促すために行われるアニール処理は不向きであると考えられてきた．しかしCdTe pnダイオードにおいて150℃以上の加熱処理を施しても特性劣化が見られなかったことから，CdTeに対しアニール処理が出来る可能性を報告した．そこでCdTe pnダイオードに対しアニール処理を行い，アニール効果についてフォトルミネッセンス測定を用いて検討した．