[22p-P01-1~12] 8 プラズマエレクトロニクス(ポスター)

[22p-P01-3] 窒化アルミニウムの低温原子層堆積の表面反応評価

〇(D)齋藤 健太郎^1,2、吉田 一樹^1,2、三浦 正範³、鹿又 健作³、有馬 ボシールアハンマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工、2.学振特別研究員、3.山形大院有機)

キーワード：原子層堆積法、窒化アルミニウム

窒化アルミニウム(AlN)は、有機発光ダイオードのガスバリアへの応用が期待されている。従来の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition)等であり、300 ℃以上の高温を必要としていた。有機エレクトロニクスデバイスに応用するために、プロセスの低温化が求められる。我々はtrimethylalminium (TMA)を原料ガスに、プラズマ励起アンモニアを窒化ガスに用いた160 ℃でのALDを実現するために、多重内部反射赤外吸収分光法での表面反応のその場観察を行った。加え、この結果から本ALD反応の反応機構を提案する。