[23p-P07-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[23p-P07-2] RF-MBE 法による極薄 GaN/AlN 超格子構造の作製

〇杢谷 直哉¹、和田 邑一¹、毛利 真一郎¹、正直 花奈子²、三宅 秀人^2,3、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：GaN/AlN 超格子、深紫外

我々は高効率な深紫外 LED 発光層の作製を目的とし、RF-MBE 法を用いて高品質 AlN テンプレート上への極薄 GaN/AlN 超格子構造成長を検討している。今回は超格子構造作製の成長条件およびシャッター制御の検討について報告する。