14:15 〜 14:30 [16p-Z26-4] HfO2系FeFETにおける結晶化アニール温度とSi界面特性のトレードオフ 〇トープラサートポン カシディット1、田原 建人1、福井 太一郎1、林 早阳1、渡辺 耕坪1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東大工)