[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[16p-Z26-4] HfO₂系FeFETにおける結晶化アニール温度とSi界面特性のトレードオフ

〇トープラサートポン カシディット¹、田原 建人¹、福井 太一郎¹、林 早阳¹、渡辺 耕坪¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大工)

キーワード：強誘電体ゲートFET（FeFET）、アニール、界面特性

HfO₂系強誘電体はFeFETのゲート絶縁膜として注目されている。HfO₂系材料の強誘電相を安定化させるためには適したアニール処理が重要であることが知られている。一方、FeFETにおいては強誘電特性に加えて、半導体との界面特性も重要である。本研究は強誘電体の結晶化アニールがHr_0.5Zr_0.5O₂/Si FeFETの界面特性に与える影響を体系的に調べ、FeFETの作製におけるアニール処理の指針について議論する。