11:45 〜 12:00 △ [18a-Z13-9] p-ドリフト層を持つ縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの高絶縁破壊電圧(>580 V)の達成 〇(B)太田 康介1、角田 隼1、新倉 直弥1、森下 葵1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)