11:30 〜 11:45 △ [18a-Z13-8] 高濃度ボロンドープ層を有するダイヤモンドMOSFETs:電流密度-1 A/mm及び出力電力密度3.6 W/mmの達成 〇浅井 風雅1、久樂 顕1、荒井 雅一1、鈴木 優紀子1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早稲田大学、2.早大材研)